關於易達通
易達通團隊技術實力雄厚、經驗豐富,擁有國際著名III-V族化合物半導體製程專家,知名通信系統與射頻晶片設計架構師,以及一批頂尖資深工程師。公司在美國設有射頻晶片系統研發部,並在臺灣設有晶圓製程研發與生產部。易達通科技充分掌握核心領先技術,將結合國內通訊等相關產業成為世界5G與電源轉換產業關鍵供應商,致力成為新世代氮化鎵產業之領導者!

經營理念及公司願景
經營理念
創新專業
品質卓越
技術領先
共創優勢
公司願景
重大事蹟
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2024
12 月
成功開發 Discrete D-mode GaN HEMT(分立式耗盡型氮化鎵電晶體)直接驅動器
8 月
成功開發 S Band 50W GaN HEMT,並銷售應用於軍用無人機干擾器(Jammer)
6 月
完成650V / 200、150mΩ GaN HEMT
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2023
11 月
遷入新辦公室於新竹科學園區創新三路6號2樓
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2021
3 月
取得新竹科學園區入區許可
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2020
10 月
-本公司擁有氮化鎵產業一條龍能力,掌握此產業每一段關鍵技術,能獨立發展磊晶、製程、模擬、測試與晶片模組設計的各個關鍵技術,亦能提供不同應用如:雷達、基地台及Backhaul
-完成現金增資5.21億元整 -
2019
7 月
研發團隊在氮化鎵元件上完成開發關鍵製程技術有:Submicron Optical Gate製程、 Ohmic Regrowth、Via Hole技術
5 月
易達通研發團隊在氮化鎵元件上已完成開發出關鍵製程技術:Air Bridge及E-Beam T-Gate製程,並於5月23日正式創立易達通科技(股)公司以製作生產高頻高功率氮化鎵元件、氮化鎵功率放大器及模組為主,因應目前急遽成長之市場需求
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